شراكة بين «Samsung» و«AMD» لدعم الجيل القادم من حلول الذاكرة للذكاء الاصطناعي

فينتك جيت: مصطفى عيد

أعلنت شركة «Samsung Electronics» اليوم توقيع مذكرة تفاهم مع «AMD» لتوسيع التعاون الاستراتيجي بين الشركتين في تقنيات الذاكرة والحوسبة الخاصة بالذكاء الاصطناعي من الجيل القادم.

جرت مراسم التوقيع في مجمع «Samsung» المتطور لتصنيع الرقائق في مدينة بيونغتايك بكوريا، بحضور الدكتورة «Lisa Su»، رئيسة مجلس الإدارة والرئيس التنفيذي لشركة «AMD»، و«Young Hyun Jun»، نائب رئيس مجلس الإدارة والرئيس التنفيذي لشركة «Samsung Electronics».

وقال «Young Hyun Jun»:

«تشترك شركتا Samsung وAMD في التزامهما بدفع عجلة الحوسبة الخاصة بالذكاء الاصطناعي، وتعكس هذه الاتفاقية توسع نطاق تعاوننا المتبادل. من تقنيات HBM4 الرائدة في الصناعة والهياكل الجديدة للذاكرة، وصولاً إلى تقنيات التصنيع المتقدمة والتغليف المتطور، تتمتع Samsung بالقدرة الفريدة على تقديم حلول متكاملة تدعم خارطة طريق AMD المتطورة في الذكاء الاصطناعي».

من جانبها، قالت الدكتورة «Lisa Su»:

«تمكين الجيل القادم من البنية التحتية للذكاء الاصطناعي يتطلب تعاوناً عميقاً على مستوى الصناعة. نحن سعداء بتوسيع عملنا مع Samsung، حيث نجمع بين ريادتهم في تقنيات الذاكرة المتقدمة ووحدات معالجة الرسوميات Instinct من AMD، والمعالجات EPYC ومنصات Helios على نطاق الخوادم. التكامل عبر كامل البنية الحاسوبية، من الرقاقة إلى النظام وصولاً إلى البنية على مستوى الرفوف، أمر أساسي لتسريع الابتكار في الذكاء الاصطناعي وتحقيق تأثير عملي واسع النطاق».

توفير إمدادات HBM4 الرئيسية

بموجب مذكرة التفاهم، ستتعاون الشركتان لتوفير إمدادات HBM4 الرئيسية لمسرّع الذكاء الاصطناعي القادم من AMD، «AMD Instinct MI455X GPU»، بالإضافة إلى حلول DRAM المتقدمة لمعالجات الجيل السادس من «AMD EPYC» والتي تحمل الاسم الرمزي «Venice». ستدعم هذه التقنيات أنظمة الذكاء الاصطناعي الجديدة التي تجمع بين وحدات المعالجة الرسومية Instinct ومعالجات EPYC وبنية الخوادم على نطاق واسع مثل منصة «AMD Helios».

ويعمل الجانبان عن كثب على تطوير تقنيات الذاكرة المتقدمة لتلبية احتياجات الذكاء الاصطناعي وحملات العمل في مراكز البيانات، حيث أصبح نطاق الذاكرة وكفاءة الطاقة عاملين حاسمين لأداء النظام الكامل، مما يساهم في تقديم بنية تحتية أكثر تحسيناً للعملاء.

ويعتبر HBM4 من Samsung الأول من نوعه الذي يدخل مرحلة الإنتاج التجاري الضخم، ويعتمد على عملية DRAM من الجيل السادس بدقة 10 نانومتر (1c) وطبقة منطقية أساسية بدقة 4 نانومتر، مع سرعات معالجة تصل إلى 13 جيجابت في الثانية وعرض نطاق يصل إلى 3.3 تيرابايت في الثانية، متجاوزاً المعايير الصناعية.

الأداء الرائد والكفاءة العالية

وبفضل الأداء الرائد والكفاءة العالية للطاقة والموثوقية التي يوفرها HBM4، من المتوقع أن تكون وحدة «AMD Instinct MI455X GPU» الحل الأمثل للأنظمة عالية الأداء المخصصة لتدريب نماذج الذكاء الاصطناعي وتنفيذ عمليات الاستنتاج (Inference).

وستشكل وحدة MI455X لبنة أساسية في بنية «AMD Helios» على مستوى الخوادم، المصممة لتوفير الأداء والقابلية للتوسع المطلوبة للبنية التحتية للذكاء الاصطناعي من الجيل القادم.

كما سيتعاون الجانبان على تطوير ذاكرة DDR5 عالية الأداء محسّنة لمعالجات الجيل السادس من «AMD EPYC»، بهدف تقديم حلول ذاكرة رائدة في الصناعة للأنظمة المبنية على بنية «AMD Helios» على نطاق الخوادم.

ومن المقرر أيضاً بحث فرص شراكة في التصنيع (Foundry)، حيث تقدم Samsung خدمات التصنيع لمنتجات AMD المستقبلية.

يذكر أن «Samsung» و«AMD» تتعاونان منذ ما يقرب من عقدين في مجالات الرسوميات والتقنيات المحمولة والحوسبة، بما في ذلك كون «Samsung» الشريك الرئيسي لتقنية HBM3E لـ«AMD»، والتي تدعم أحدث مسرّعات الذكاء الاصطناعي «AMD Instinct MI350X وMI355X».

في هذا السياق، ومن ناحية أخرى، هناك العديد من الأخبار المرتبطة بالقطاع والتي يمكنك متابعتها:

• شركة «Belkin» تطرح مجموعة جديدة من ملحقات سلسلة «Samsung Galaxy S26»
• «ڤاليو» تتيح تقسيط «Samsung Galaxy S26» بدون فوائد حتى 24 شهرًا
• شركات «OpenAI» و«Samsung SDS» و«SK Telecom» تستعد لإنشاء مراكز بيانات ضخمة في كوريا الجنوبية